מספר מוצר של יצרן:
TSM2N60ECH C5G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM2N60ECH C5G-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 52.1W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
מלאי:
12899230
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM2N60ECH C5G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
362 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
52.1W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251 (IPAK)
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
TSM2
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM2N60ECHC5G
TSM2N60ECH C5G-DG
חבילה סטנדרטית
3,750
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STU2N80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
119
DiGi מספר חלק
STU2N80K5-DG
מחיר ליחידה
0.46
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM10N60CZ C0G
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
DMPH3010LK3Q-13
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252
TSM4N60ECH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
